IS6806C是内置功率MOSFET和栅极驱动器的智能功率级，可在较低输出电压下实现更高的效率，专为低占空比及全故障检测和保护的多相应用优化的集成电源级解决方案。该产品支持精确的电流采样、温度采样和故障警报功能，能够提供高电流性能，良好的热性能，高效率优化MOSFET设计。IS6806A使用5 mm x 6 mm QFN封装，单相能够达到 70A，优化设计的内部功率 MOSFET最大限度地减少了开关和传导损耗。

IS6806C采用内部 MOSFET 栅极具有大电流驱动功能的驱动IC，自适应死区时间控制和集成自举开关。温度监视器可在温度过高时向系统发出警报，电流监视器以提供实时电流监控功能（Imon）（输出电感电流按比例缩减），兼容 3.3V PWM 控制器，可通过使用 GLCTRL 信号在轻负载下启用二极管仿真模式。IS6806C配备了全套保护功能，包括正负电流限制、故障警报功能，如 HS FET过流、过温和 HS MOSFET短路失效等。

产品参数

输入电压：2.5V~16V

输出电流：70A

频率：高达1.5MHz

效率：95％

封装：QFN 5x6 41PIN

● 宽输入电压范围2.5V-16V

● 兼容3.3V三态PWM信号

● 单相高达70A的直流输出电流

● 支持精确的电流采样、温度采样和故障警报功能

● 5mV/A IMON

● 8mV/°C TMON温度模拟输出报告

● VCC/VDRV欠压锁定(UVLO)

● 可编程阈值和故障标志的逐周期过电流保护

● 高达1,500kHz开关频率工作下可实现高性能瞬态响应

● 优化工艺，更优秀的转换效率和动态负载适应能力，功率密度与体积的平衡

● 高电流、高效、低占空比操作和全故障检测和保护，大电流多相应用的理想选择