IS6816B是内置高/低侧功率MOSFET和栅极驱动器高度集成的智能功率级，可在较低输出电压下实现更高的效率。该产品能够提供高电流性能，良好的热性能，高效率优化MOSFET设计，内部MOSFET感测可实现卓越的电流感测精度，最大限度地减少了开关和传导损耗。

IS6816B采用5 mm x 6 mm QFN封装，单相带载可达 90A，高达1.5MHz开关频率的操作可实现高性能瞬态响应，支持输出电感及输入和输出电容的小型化，同时保持行业领先的效率。此外，IS6816B支持高精度的电流监测和温度监测功能，配备了全套保护功能，包括正负电流限制、过温保护、故障警报功能等。

产品参数

输入电压：2.5V~16V

输出电流：90A

频率：高达1.5MHz

效率：95％

封装：QFN 5x6 41PIN

● 高电流效率,宽输入电压范围2.5V-16V

● 兼容3.3V三态PWM信号

● 单相高达90A的直流输出电流

● 支持电流监测和温度监测功能

● 可选择OCP限制

● 启动欠压保护及电压欠锁（UVLO）

● 配备全故障检测和保护功能

● 5uA/A IMON

● 8mV/°C TMON

● 工作频率高达1.5MHz

● 优化工艺，更优秀的转换效率和动态负载适应能力，功率密度与体积的平衡

● 高电流、高效、低占空比操作和全故障检测和保护，大电流多相应用的理想选择